霍尔电动势的来龙去脉

感应电动势和霍尔电动势的关系1、反电动势是由反抗电流发生改变的趋势而产生电动势。3、霍尔元件形成的霍尔电动势E，霍尔原件能够测量哪些物理参数?当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。

1、霍尔效应的原理是什么

霍尔效应中的副效应:（1）不等位电势差：由于霍尔元件的材料本身不均匀，以及由于工艺制作时，很难保证将霍尔片的电压输出电极焊接在同一等势面上，因此当电流流过样品时，即使已不加磁场，在电压输出电极之间也会产生一电势差，只与电流有关，与磁场无关。（2）厄廷豪森效应：霍尔片内部的快慢载流子向不同方向偏转，动能转化为热能，使x方向两侧产生温度差，因此霍尔电极和样品间形成热电偶，在电极间产生温差电动势，其正负、大小与I、B的大小和方向有关。

2、什么是霍尔器件?

霍尔器件Hallelement利用霍尔效应的固态电子器件。E.H.霍尔于1879年发现：一块矩形导体或半导体材料在磁感应强度为Bz的磁场中,在垂直于磁场的方向有电流Ix通过试件（图1），在既垂直于磁场Bz、又垂直于电流Ix的方向将产生电场Ey,这就是霍尔效应。这个电场在电极3和4之间产生电动势UH，称为霍尔电动势UH＝RHBzIx/d式中Ix为从电极1到电极2的电流；d为试件厚度；RH为比例系数（称霍尔系数）。

3、霍尔传感器原理霍尔传感器原理介绍

1、半导体薄片置于磁感应强度为B的磁场中，磁场方向垂直于薄片。当有电流I流过薄片时，在垂直于电流和磁场的方向上将产生电动势eh，这种现象称为霍尔效应，该电动势称为霍尔电势，上述半导体薄片称为霍尔元件。2、原理简述如下：激励电流I从a、b端流入，磁场B由正上方作用于薄片，这时电子e的运动方向与电流方向相反，将受到洛仑兹力FL的作用，向内侧偏移，该侧形成电子的堆积，从而在薄片的c、d方向产生电场E。

4、谁知道霍尔传感器参数有什么

霍尔传感器也是一种传感器，是根据霍尔效应制作的磁场传感器，根据它的主要特性参数，传感器交易网为您整理了以下几类。(1)输入电阻R霍尔传感器元件两激励电流端的直流电阻称为输入电阻。它的数值从几欧到儿百欧，视不同型号的元件而定。温度升高，输入电阻变小，从而使输入电流变大，最终引起霍尔传感器电势变化。为了减少这种影响，最好采用恒流源作为激励源。

它也随温度改变顺改变。选择适当的负载电阻易与之匹配，可以使由温度引起的程水电势的漂移减至最小。(3)最大激励电流I霍尔传感器参数由于霍尔传感器电势随激励电流的增大而增大，故在应用中总希望选用较大的激励电流1M但激励电流增大，程尔元件的功耗增大，元件的温皮升高，从而引起霍尔传感器屯势的温漂增大，因此每种型号的几件均规定了相应的最大激励电流，它的数值从几毫安至几百毫安。

5、采用霍尔元件来测量磁场时具体要测量哪些物理量

依据霍尔效应，用霍尔元件来测量磁场时需要的物理量有：1、通过霍尔元件的激励电流I。2、穿过霍尔元件的磁场B。3、霍尔元件形成的霍尔电动势E。EKHIB其中KH为霍尔元件的灵敏度。你好，霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。一般用于电机中测定转子转速，如录像机的磁鼓，电脑中的散热风扇等；是一种基于霍尔效应的磁传感器,已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到广泛的应用。

6、霍尔效应都有哪些方面的应用

霍尔效应在应用技术中特别重要。霍尔发现，如果对位于磁场(b)中的导体(d)施加一个电流(iv)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(uh)，人们将这个电压叫做霍尔电压，产生这种现象被称为霍尔效应。好比一条路，本来大家是均匀的分布在路面上,往前移动.当有磁场时，大家可能会被推到靠路的右边行走.故路(导体)的两侧,

根据霍尔效应做成的霍尔器件，就是以磁场为工作媒体，将物体的运动参量转变为数字电压的形式输出，使之具备传感和开关的功能。迄今为止，已在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有：在分电器上作信号传感器、abs系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器、各种开关，等等。

7、霍尔原件能够测量哪些物理参数?霍尔原件的不等位电势的概念是什么

霍尔组件可测量磁场、电流、位移、压力、振动、转速等。霍尔组件的不等位电势是霍尔组件在额定控制电流作用下在无外加磁场时两输出电极之间的空载电势可用输出的电压表示。温度补偿方法a分流电阻法适用于恒流源供给控制电流的情况。b电桥补偿法。霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。

8、霍尔电势是多少?

霍尔系数一般为4.62KGS/A，表示的为B/Is的大小。UH称为霍尔电势，其大小可表示为：UHRH*IC*B/d（1）式中，RH称为霍尔系数，它的单位是米的三次方每库仑，由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度,IC为电流，B为磁场强度。简介通过霍尔电压的极性，可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子（自由电子）之运动所造成。

9、霍尔原件有哪些参数如何测量

一、实验原理静止的载流导体位于磁场中(三个条件，静止、通电导体、磁场)，当电流I的方向与磁场的方向有一定夹角时，在垂直于电流和磁场方向的载流导体的两侧面之间会产生电动势，电流方向与磁场方向垂直时，产生的电动势最大，这一现象称为霍尔效应。霍尔效应的本质是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起偏转，当带电粒子被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直于电流和磁场的方向产生正、负电荷的聚集，从而在材料中形成附加的横向电场。

10、感应电动势和霍尔电动势的关系

1、反电动势是由反抗电流发生改变的趋势而产生电动势。反电动势一般出现在电磁线圈中，如继电器线圈、电磁阀、接触器线圈、电动机、电感等，2、电动势是电子运动的趋势，能够克服导体电阻对电流的阻力，使电荷在闭合的导体回路中流动的一种作用，电动势反映电源把其他形式的能转换成电能的本领，电动势使电源两端产生电压。3、感应电动势是在电磁感应现象中产生的电动势在电磁感应现象里面既然闭合电路里有感应电流，那么这个电路中也必定有电动势。