asemimos管10n65怎么区分?需要注意什么?

mos管三个引脚怎么区分?测量mos管10N65好坏时要注意的几点在测试mos管时，您需要采取一些预防措施。ASEMI的MOS管10N65如何测量好坏编辑Z为什么要检测mos管的好坏？mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚，mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。

1、场效应管(MOS

场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极：若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是N沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；

2、在主板上怎么测量场效应管!必须要拆下来测量吗?如果在主板上能测量场…

一般测量主板上的场管MOS管，都是拆下来测量，在路测量是不准确的，因为要考虑并联电路关系，MOS管与其他MOS管或其他元件并联后，测量出来的数值会变小，所以一般都是用风枪焊接下来后，在去测量，测量之前，先清理MOS管三个引脚防止测量误差，然后将数字万用表打到二极管档红表笔插入VΩ孔，黑表笔插入COM孔，然后使用一只表笔短路MOS管三个引脚将MOS管放电，然后将红表笔接G级，黑表笔接D级，一般会显示“1”然后调换表笔测量，还会显示“1”然后将红表笔接S级黑表笔接D级，应该会显示出一组300700欧姆左右的数值，如果有这组数值则说明该场管是好的，并且是N沟道的，在电脑主板中全是N沟道场管，如果在将红表笔接G级的时候，黑表笔接D级，然后在将红表笔接S级的时候，万用表显示000并且蜂鸣器响了，首先不能说是该场管短路，则要再次将MOS管三个引脚短接放电后，在去将红表笔接S级，黑表笔接D级，如果显示出300700欧姆的数值，则说明该MOS管是好的，如果放电后在去测量DS级之间的二级管值，还是显示00。

3、电路中MOS管的好坏该如何判断?

用万用表R×1k档或R×10k档，测量场效应管任意两脚之间的正、反向电阻值。正常时，除漏极与源极的正向电阻值较小外，其余各引脚之间（G与D、G与S）的正、反向电阻值均应为无穷大。若测得某两极之间的电阻值接近0Ω，则说明该管已击穿损坏。另外，还可以用触发栅极（P沟道场效应晶体管用红表笔触发，N沟道场效应管用黑表笔触发）的方法来判断场应管是否损坏。

4、ASEMI的MOS管10N65如何测量好坏

编辑Z为什么要检测mos管的好坏？为了保护板上的其他元件，在将MOS管10N65连接到电路之前对其进行测试至关重要。mos管10N65主要有漏极、源极和栅极三个引脚。当使用有故障的MOS管时，会发生漏极到栅极的短路，对电路不利。这种短路的结果可能是漏极电压反馈，这也会影响栅极端子。电压到达该端后，通过栅极电阻进一步传输到驱动电路，这种传输可能对驱动电路造成进一步的损坏。

那么ASEMI的MOS管10N65如何测量好坏呢？测量mos管10N65好坏时要注意的几点在测试mos管时，您需要采取一些预防措施。主要是：1、必须保证输入电源大于等于MOS管10N65的阈值电压。2、MOS管的漏极电压和栅极电压不能超过击穿电压。3、应选择合适的限流电阻给LED供电。4、连接时应始终使用栅源电阻。这将有助于避免栅极处的噪声，也有助于释放器件的寄生电容。

5、MOS管至少有四个引脚,那这四个引脚分别怎么用?

MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。NMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→低电平(或地)、衬底→低电平(或地)；PMOS：漏极→输出信号、栅极→输入信号、源极→高电平(或电源)、衬底→高电平(或电源)。MOS管只有四个引脚，即漏极、栅极、源极和衬底。NMOS和PMOS的接法是不一样的。

6、怎样用万用表测量手机锂离子保护板mos管的内阻?

首先建议楼主先看一下MOS管的基础知识。MOS管有3个脚，分别为g栅，s源，d漏（不管是NMOS还是PMOS），g栅极与s和d是隔着氧化物的，所以gs间和gd间的电阻是无穷大的，而ds是可以互换的，那个电压高那边就是漏极。把万用表调到二极管档（蜂鸣档）测MOS管的引脚，两两来测，好的MOS管应该是gs，gd间不响；坏的MOS管，gs和gd都会响。

7、请问一下mos管三个引脚怎么区分

判定栅极G：将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道；若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,

其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。mos管，即在集成电路中绝缘性场效应管。是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。

8、mos管三个引脚怎么区分?

判定栅极G：将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道；若两次测得的阻值都很小,则为P沟道。判定源极S、漏极D：在源漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,

其中电阻值较低(一般为几千欧至十几千欧)的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极。\rmos管，即在集成电路中绝缘性场效应管，是金属(metal)氧化物(oxid)半导体(semiconductor)场效应晶体管。或者称是金属绝缘体(insulator)半导体，MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。