如何选择最适合的mos管驱动电路?

mos管可以做开关管用吗?谢谢!mos管驱动上有个台阶是因为mos管内的结电容引起的。当作为开关元件选择时,做开关电源,三者如何选择…达林顿管是用作驱动的，比如驱动继电器的开合，如何选择最适合的MOS管驱动电路?开关电源设计中如何区别及选用三极管和MOS管分成NPN和PNP两种。

1、请问一下,做开关电源,选择MOS管的时候主要考虑哪些参数?谢谢!

mos管驱动上有个台阶是因为mos管内的结电容引起的。这个就是所谓的开通损耗。这个问题都是mos管本身的问题。要想驱动波形没有台阶，几乎是不可能的。求采纳为满意回答。MOS的耐压和经过MOS的电流，然后就是内阻和散热啦反应到电源就是最大工作电压和最大输出功率。

2、请教开关电路三极管和MOS管选型

分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。

3、如何选择最适合的MOS管驱动电路?

1、MOS管种类和结构MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。至于为什么不使用耗尽型的MOS管，不建议刨根问底。对于这两种增强型MOS管，比较常用的是NMOS。

所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。下面的介绍中，也多以NMOS为主。MOS管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些，但没有办法避免，后边再详细介绍。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。

4、开关电源MOSS选择与输出管子选择

MOSS管电流,反向电压,整流管,电流四倍电压7倍。选在MOSFET一般有两个标准，一个温度，一个耐压。具体选择还要根据实际的电路情况。比如跟问题温度有关系的参数就包括，通过MOSFET的电流、散热情况、使用环境。电流的计算可以用输入功率除以输入最小电压除以占空比就可以。耐压相对就比较简单了，只要实际电路中MOSFET上的反压低于MOSFET的额定值就可以了。

5、…达林顿管都有开关的作用。当作为开关元件选择时,三者如何选择…

达林顿管是用作驱动的，比如驱动继电器的开合。三极管和MOS管都可以用作一般数字电路的开关。但是三极管不如MOS管。MOS没有二次击穿。可靠性比较好(如果你的生产工艺对静电控制较好的化)。另外MOS管为电压控制器件，可以驱动更大的负载，耗电小。动作快。三极管：线性好MOS管：高输入阻抗，放大倍数高，响应快达林顿管：超大功率各有优势，看怎么用了。

6、开关电源设计中如何区别及选用三极管和MOS管

分成NPN和PNP两种。我们仅以NPN三极管的共发射极放大电路为例来说明一下三极管放大电路的基本原理。我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。

7、mos管可以做开关管用吗?如果用作开关管那工作在什么状态下呢?

可以。如果要工作在开关状态，就必须使得MOS管处于可变电阻区和夹断区。MOS是电压控制器件，三极管需要较大的控制电流，很多时候需要逐级放大，而MOS管的栅极电流极小，几乎可以忽略，再加上MOS管饱和导通时产生的压降比BJT饱和压降低，所以耗散功率小，效率也更高，所以一般的功率开关管会选择MOS管而不是BJT。不过MOS管并不是没有缺点的，由于MOS管的栅电容的天然缺点，会影响开关速度，同样用途的管子，一般BJT要比MOS的速度更快。

2、各类型MOS管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守MOS管偏置的极性。如结型MOS管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压，P沟道管栅极不能加负偏压等，3、MOSMOS管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。